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J-GLOBAL ID：200903001723225886

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
栗山 仁志

About 栗山 仁志

, 
梶山 正興

About 梶山 正興

, 
澤田 茂樹

About 澤田 茂樹


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 岡本 宜喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999132431
Publication number (International publication number)：2000323489
Application date： May. 13, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 厚いエキタピシャル層の基板であっても、寄生コレクタ抵抗の小さい高周波トランジスタが形成でき、高耐圧トランジスタを同一基板上に形成できるようにすること。【解決手段】 第1の逆導電型埋め込みコレクタ層21より上方にせり上がる第2の逆導電型埋め込みコレクタ層22を形成する。第2の逆導電型埋め込みコレクタ層22に接する位置に、逆導電型ペデスタルコレクタ層102と一導電型ベース層8とを形成する。こうすると、カーク効果を抑制でき、エピタキシャルコレクタ層の膜厚を大きくすることができる。
Claim (excerpt)：
一導電型半導体基体に形成された逆導電型埋め込みコレクタ層と、前記逆導電型埋め込みコレクタ層の上部に形成された逆導電型コレクタ層と、前記逆導電型コレクタ層の上部に形成された一導電型ベース層と、前記一導電型ベース層の直下に形成された逆導電型ペデスタルコレクタ層と、を有する半導体装置において、前記逆導電型埋め込みコレクタ層は、2種類以上の逆導電型不純物拡散層からなり、かつ少なくともその内の1つの逆導電型不純物拡散層が前記逆導電型ペデスタルコレクタ層と接する位置に配置されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73
F-Term (22)：
5F003AP00 ,  5F003AP06 ,  5F003BA96 ,  5F003BB06 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BC01 ,  5F003BC02 ,  5F003BC05 ,  5F003BC08 ,  5F003BE07 ,  5F003BE08 ,  5F003BF03 ,  5F003BG03 ,  5F003BP06 ,  5F003BP08 ,  5F003BP09 ,  5F003BP23 ,  5F003BP31 ,  5F003BP41 ,  5F003BS06 ,  5F003BS08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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