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J-GLOBAL ID：200903001728208220

ウエハ・バイアスを用いて低温アルファ・タンタル薄膜を得る方法

Inventor： サンダラジャン, アーヴィンド ,  レンガラジャン, スラヤ ,  ミラー, マイケル, エー. ,  ディン, ペイジャン ,  ヤオ, ゴンダ ,  マーカダル, クリストフェ ,  チェン, リン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002564763
Publication number (International publication number)：2004525257
Application date： Jan. 25, 2002
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

本願に提供されるのは、ウエハ上に窒化タルタル膜を堆積すること、その後、ウエハ・バイアスを用いて窒化タンタル膜を覆ってタンタル膜を堆積することにより、半導体ウエハ上にアルファ-タンタル膜を堆積する方法である。タンタル膜は、堆積されるとき、アルファ相である。また、同様に提供されるのは、Cuバリア及びシード層を半導体ウエハ上に堆積する方法であって、ウエハ上に窒化タンタル層を堆積すること、ウエハ・バイアスを用いて窒化タンタル層を覆ってタンタル層を堆積すること(ここで、結果として生じるタンタルバリア層は、アルファ相である)、その後、アルファ-タンタル・バリア層を覆ってCuシード層を堆積することを備える、上記方法である。更に提供されるのは、2つのチャンバ処理を用いて、アルファ-タンタル膜/層を堆積する方法であり、ここで、窒化タンタル及び続いて堆積されたタンタル膜/層は2つの別個のチャンバ(IMP又はSIPチャンバ)内で堆積可能である。また、更に提供されるのは、PVDタンタル膜をCVD膜上に堆積することにより、アルファ-タンタル膜を堆積する方法である。

Claim (excerpt)：

アルファ・タンタル膜を半導体ウエハ上に堆積する方法において: ウエハ上に窒化タンタル膜を堆積するステップと; ウエハ・バイアスを使用して、前記窒化タンタル膜を覆ってタンタル膜を堆積するステップであって、前記タンタル膜がアルファ相である場合にアルファ・タンタル膜が前記ウエハ上に堆積される前記ステップと; を備える、前記方法。

IPC (3)：

C23C14/16 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285

FI (4)：

C23C14/16 Z ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 S ,  H01L21/285 301

F-Term (28)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA08 ,  4K029BA16 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029FA07 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030HA03 ,  4M104BB17 ,  4M104BB32 ,  4M104DD38 ,  4M104DD43 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH16