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J-GLOBAL ID：200903001732287045

プラズマ処理装置

Inventor： 田原 慈 ,  大藪 淳 ,  輿石 公
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002058833
Publication number (International publication number)：2003257935
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体ウエハをプラズマによりエッチングするときにウエハの周縁部領域とそれよりも内側領域との間でエッチング速度の差が大きく、しかもその差がプロセス圧力により変動し、プロセス圧力のマージンが小さい。【解決手段】載置台上のウエハを取り囲むように設けられた導電性の第1のリングにおいて、ウエハ周縁部領域のプラズマ密度、プラズマ密度の均一性のプロセス圧力による影響が、ウエハの周縁から前記リングの外周縁までの距離に依存していることに着目ウエハの周縁から前記リングの外周縁までの距離を22.5mm〜30mmに設定する。

Claim (excerpt)：

載置台が内部に設けられた導電性の処理容器と、前記載置台上の被処理基板を取り囲むように設けられた導電性の第1のリングと、を備え、前記載置台上に載置された被処理基板をプラズマにより処理するプラズマ処理装置において、前記被処理基板の周縁から第1のリングの外周縁までの距離を22.5mm〜30mmに設定することを特徴とするプラズマ処理装置。

F-Term (11)：

5F004AA02 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BC08 ,  5F004BD03 ,  5F004CA05 ,  5F004CA09