Pat
J-GLOBAL ID：200903001733956021
MOSFET及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997082610
Publication number (International publication number)：1998284722
Application date： Apr. 01, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 キャップSi層にはチャネルが形成されることがなく、しかも、トランジスタの閾値電圧が変動することのない安定なMOSFET及びその製造方法を提供する。【解決手段】 MOSFETにおいて、半導体基板のアクティブ領域に形成されるボロンドープトSi膜23、バッファSi膜24、SiGe膜25とそれらの側部に形成されるソース領域32・ドレイン領域33と、前記SiGe膜25上のみに形成されるキャップSi層31、SiO2 ゲート酸化膜27、ゲート電極30とを備え、キャップSi層31がソース領域32・ドレイン領域33と分離されるようにした。
Claim (excerpt)：
(a)半導体基板のアクティブ領域に形成される不純物がドープされたSi膜とバッファSi膜、SiGe膜とそれらの側部に形成される不純物がドープされたソース・ドレイン領域と、(b)前記ソース・ドレイン領域と分離され、SiGe膜上に形成されるキャップSi層、ゲート酸化膜、ゲート電極とを有することを特徴とするMOSFET。
FI (2)：
H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 H
