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J-GLOBAL ID：200903001738198664
単結晶体の製造方法及びその装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993000340
Publication number (International publication number)：1994211591
Application date： Jan. 05, 1993
Publication date： Aug. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 単結晶体の酸素析出量が場所によらず均一となるようにすること。【構成】 加熱制御装置40から供給される電力により発熱する環状の環状加熱ヒータ30を、電極を兼ねた支持部材31によって支持して、融液の固液界面から所定距離離れたかつ引き上げられる単結晶体Sの外周面近傍となる位置に当該単結晶体Sを取り囲むように配置し、単結晶体Sが所定の距離引き上げられるまでは環状加熱ヒータ30に所定の電力を供給して引き上げられる単結晶体Sの外周面を徐冷し、その後は、環状加熱ヒータ30への供給電力を低減して単結晶体Sの外周面の冷却を促進させる。
Claim (excerpt)：
るつぼ内で溶融する融液に種結晶を接触させ、この種結晶を徐々に引き上げることで単結晶体を成長させる単結晶体の製造方法において、外部から供給される電力により発熱する環状のヒータを、電極を兼ねた支持部材によって支持して、前記融液の固液界面から所定距離離れたかつ引き上げられる単結晶体の外周面近傍となる位置に当該単結晶体を取り囲むように配置し、前記ヒータに所定の電力を供給して当該引き上げられる単結晶体の外周面を徐冷するようにしたことを特徴とする単結晶体の製造方法。
IPC (5)：
C30B 15/00
, C30B 15/14
, C30B 15/30
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
