遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩野平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999030209
Publication number (International publication number)：2000227659
Application date： Feb. 08, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】遠紫外光を使用するミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決することで、詳しくは現像の際の現像欠陥発生及びスカムの発生の問題を解消し、更に線幅再現性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、脂環式炭化水素を含む特定の部分構造で保護されたアルカリ可溶性基を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及び酸の作用により分解し、スルホン酸を発生する化合物を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及び酸の作用により分解し、スルホン酸を発生する化合物を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/027 502

FI (2)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/027 502

F-Term (14)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025CB13 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CC04 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

アセト酢酸誘導体、その製法及び用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-332814 Applicant：住友化学工業株式会社
ポジ型ホトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-171947 Applicant：東京応化工業株式会社
酸感応性重合体、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-165935 Applicant：富士通株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Acid amplification of chemically amplified resists for 193nm lithography

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