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J-GLOBAL ID：200903001748662067

水素プラズマ処理装置

Inventor： 藤村 修三 ,  菊地 純
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992182062
Publication number (International publication number)：1994029254
Application date： Jul. 09, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、水素プラズマ処理装置に関し、水素プラズマ処理する際、水素ラジカル濃度の低下を抑制することができ、水素ラジカルの発生効率、輸送効率を十分良くすることができ、処理効率を向上させることができる水素プラズマ処理装置を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも水素と水蒸気ガスを含む気体がプラズマ化され、該プラズマ中若しくは該プラズマの上流に処理される被加工物が設置され、該プラズマ中あるいは該プラズマの下流の少なくとも一部がアルミナ部材で構成される水素プラズマ処理装置において、該アルミナ部材の少なくとも一部を冷却する冷却手段を設けるように構成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも水素と水蒸気ガスを含む気体を内部にてプラズマ化する水素プラズマ処理装置において、該処理装置の内壁の少なくとも一部をアルミナ部材で構成し、該アルミナ部材の少なくとも一部を冷却する冷却手段を設けることを特徴とする水素プラズマ処理装置。