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J-GLOBAL ID：200903001754811872

反応膜生成方法および反応膜生成装置

Inventor： 猪飼 博
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 古谷 栄男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999056961
Publication number (International publication number)：2000252276
Application date： Mar. 04, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウェハにおいて、自然酸化膜の膜厚のばらつきを抑制し、品質のばらつきをなくす反応膜の生成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 窒素がインナーチューブ内に充填され、インナーチューブ内が窒素飽和雰囲気となっても(S3)、インナーチューブに窒素の送気を続ける。この時に、半導体ウェハを設置した石英ボートをインナーチューブ内へ搬入する(S5)。このように窒素の送気を続けることによって、窒素飽和雰囲気がインナーチューブの開口部113から外部に流出する。この流出した窒素飽和雰囲気が、半導体ウェハ間の隙間に存在する空気を追出す。これにより、半導体ウェハ表面における酸化膜を生成を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

反応室に搬入された半導体ウェハに、反応膜形成流体を供給して、熱反応によって半導体ウェハ表面に反応膜を形成する反応膜の生成方法において、半導体ウェハを反応室に搬入する際にも、反応室に反応膜形成流体を供給することにより、半導体ウェハ表面近傍の空気を取り除く、ことを特徴とする反応膜生成方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/31 B

F-Term (21)：

5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AE01 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE14 ,  5F045EN02 ,  5F045EN04 ,  5F045EN05 ,  5F058BA06 ,  5F058BC08 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01