Pat

J-GLOBAL ID：200903001760515576

SiC系多孔体及びその製造方法

Inventor： 河合 千尋
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 山本 正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000056928
Publication number (International publication number)：2001247381
Application date： Mar. 02, 2000
Publication date： Sep. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高い気孔率を有すると共に、機械的強度や熱伝導率にも優れたSiC系多孔体とその製造方法を提供し、このSiC系多孔体を用いて透過性能に優れた各種フィルターを提供する。【解決手段】 Si粉末量が30〜61重量%となるようにSi粉末とC粉末を混合し、その成形体を焼結後、焼結体に残留する炭素を加熱消失させて、六角板状のα型SiC粒子が焼結ネッキングした三次元骨格組織を持ち、気孔率が61〜75%のSiC系多孔体を得る。このSiC多孔体は、高気孔率を持ち、透過性能に優れると共に、高強度で高熱伝導率であるため、液体濾過用フィルター及びパティキュレートフィルターとして好適である。

Claim (excerpt)：

六角板状のα型SiC粒子が焼結ネッキングした三次元骨格組織を持ち、気孔率が61〜75%であることを特徴とするSiC系多孔体。

IPC (5)：

C04B 38/00 303 ,  B01D 39/20 ,  C04B 35/573 ,  C04B 35/565 ,  C04B 38/06

FI (5)：

C04B 38/00 303 Z ,  B01D 39/20 D ,  C04B 38/06 F ,  C04B 35/56 101 U ,  C04B 35/56 101 X

F-Term (24)：

4D019AA01 ,  4D019AA03 ,  4D019BA05 ,  4D019BB06 ,  4D019BB07 ,  4D019BD01 ,  4D019CA03 ,  4D019CB06 ,  4G001BA60 ,  4G001BA62 ,  4G001BA71 ,  4G001BB22 ,  4G001BB60 ,  4G001BC71 ,  4G001BD03 ,  4G001BD14 ,  4G001BD36 ,  4G001BE02 ,  4G001BE11 ,  4G001BE33 ,  4G001BE34 ,  4G019FA01 ,  4G019FA11 ,  4G019KA04