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J-GLOBAL ID：200903001761820631

シリコン針状体の長さ制御技術

Inventor： 石田 誠 ,  澤田 和明 ,  川島 貴弘 ,  船ヶ山 直樹
Applicant, Patent owner： 国立大学法人豊橋技術科学大学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006222699
Publication number (International publication number)：2008044821
Application date： Aug. 17, 2006
Publication date： Feb. 28, 2008
Summary：

【課題】同一半導体基板上に長さの異なる複数の針状体の形成を可能とするシリコン針状体の長さ制御技術を提供することを目的とする。【解決手段】長さの異なる針状体を形成するために、VLS成長と触媒となる金属材料の露出を交互に繰り返すことで多段成長させ、針状体の長さを制御する方法、又は所望の部位の金属材料を露出し、VLS成長した後に先端金属を除去することで所望の長さの針状体を作製し、これを繰り返すことで異なる長さの針状体を実現する方法のいずれかにより解決することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上の全面および所望の領域に、VLS成長法を用いて、長さの異なる複数のシリコン針状結晶体を成長させた半導体基板。

IPC (5)：

C30B 29/62 ,  B82B 3/00 ,  G01R 1/073 ,  C30B 11/12 ,  A61B 5/040

FI (5)：

C30B29/62 Z ,  B82B3/00 ,  G01R1/073 F ,  C30B11/12 ,  A61B5/04 300B

F-Term (13)：

2G011AA02 ,  2G011AA16 ,  2G011AA21 ,  2G011AC11 ,  2G011AF07 ,  4G077AA04 ,  4G077BA04 ,  4G077CD10 ,  4G077EA04 ,  4G077EE07 ,  4G077HA05 ,  4G077MB14 ,  4G077MB32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特公2000-333921こうした針状体の作製方法としては、主に基板材料を削る方法と基板上に成膜(または、成長)する方法の二つに大別される。