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J-GLOBAL ID：200903001770772836
電子放出素子及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田治米 登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995156788
Publication number (International publication number)：1996329832
Application date： May. 30, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：
【要約】【目的】 共通シリコン基板上に複数の電子放出素子を設けた場合でも、エッチングによりエミッタ電極を形成する際のエッチング深さをすべてのエミッタ電極について均一となるようにする。【構成】 シリコン基板1、エミッタ配線層2、絶縁層3及びゲート電極4が順次積層され、ゲート電極4と絶縁層3とエミッタ配線層2にはシリコン基板1に達する開口部Aが設けられ、その開口部A内のシリコン基板1にコーン型のシリコンエミッタ電極5がゲート電極4に接触しないように設けられてなる電界放射型の電子放出素子において、エミッタ配線層2をシリコン基板1にイオン注入法により高濃度でドーパントが注入された高ドープ領域層から構成する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板、エミッタ配線層、絶縁層及びゲート電極が順次積層され、該ゲート電極と絶縁層とエミッタ配線層とにはシリコン基板に達する開口部が設けられ、その開口部内のシリコン基板にコーン型シリコンエミッタ電極がゲート電極に接触しないように設けられてなる電界放射型の電子放出素子において、エミッタ配線層がシリコン基板にイオン注入法により高濃度でドーパントが注入された高ドープ領域層であることを特徴とする電子放出素子。
IPC (3)：
H01J 1/30
, G09F 9/313
, H01J 9/02
H01J 1/30 B
, G09F 9/313 E
, H01J 9/02 B
