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J-GLOBAL ID：200903001776532454
熱電変換素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992097976
Publication number (International publication number)：1994021518
Application date： Apr. 17, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 小数キャリアの悪影響を抑制するとともに、半導体と金属の接合による障壁電位差を大きくして、ゼーベック係数を向上した熱電変換素子を提供することを目的とする。【構成】 第1の半導体物質(12,13)の冷却側の表面に、その第1の半導体物質(12,13)よりも大きなバンドギャップを有する第2の半導体物質を主体とする薄層(14,15)を形成し、その第1の半導体物質(12,13)と第2の半導体物質主体の薄層(14,15)にそれぞれオーミック接触の得られる導体金属(9,10,11)を接合したことを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
第1の半導体物質の冷却側の表面に、その第1の半導体物質よりも大きなバンドギャップを有する第2の半導体物質を主体とする薄層を形成し、その第1の半導体物質と第2の半導体物質主体の薄層にそれぞれオーミック接触の得られる導体金属を接合したことを特徴とする熱電変換素子。
IPC (2)：
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