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J-GLOBAL ID：200903001783167052

ストラップ領域を有する不揮発性の半導体メモリ素子及びその製造方法

Inventor：
金 龍希

About 金 龍希


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005188779
Publication number (International publication number)：2006019735
Application date： Jun. 28, 2005
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：
【課題】 ストラップ領域を有する不揮発性の半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 メモリセルアレイ領域、及びメモリセルアレイ領域に均一電圧を提供するストラップ領域を備える不揮発性の半導体メモリ素子であり、ストラップ領域では、メモリセルアレイ領域のワードライン及びソースラインと分離されないように、ワードライン及びソースラインがロー方向に延びて、かつ一字型に形成されており、ワードライン及びソースラインのそれぞれには、ワードラインコンタクト及びソースラインコンタクトが形成されている。これにより、本発明は、ワードライン間に発生するブリッジ現象を防止でき、容易にストラップ領域を形成できる。【選択図】 図5
Claim 1：
メモリセルアレイ領域、及び前記メモリセルアレイ領域に均一電圧を提供するストラップ領域を備える不揮発性の半導体メモリ素子において、 前記メモリセルアレイ領域では、ロー方向に複数個のワードライン及びソースラインが形成されていると共に、前記二つのワードライン間に一つのソースラインが形成されており、 前記ストラップ領域では、前記メモリセルアレイ領域のワードライン及びソースラインと分離されないように、前記ワードライン及びソースラインがロー方向に延びて、かつ一字型に形成されており、前記ワードライン及びソースラインのそれぞれには、ワードラインコンタクト及びソースラインコンタクトが形成されていることを特徴とする不揮発性の半導体メモリ素子。
IPC (4)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788
FI (2)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
F-Term (22)：
5F083EP03 ,  5F083EP25 ,  5F083ER02 ,  5F083ER14 ,  5F083ER17 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083KA02 ,  5F083KA12 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA20 ,  5F083PR12 ,  5F083PR40 ,  5F101BA15 ,  5F101BB04 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6,541,324号明細書
Cited by examiner (4)
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