シリコンウエーハ及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田辺徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995084524
Publication number (International publication number)：1996264549
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】無欠陥層であるDZ層を備え、実質的にスリップ欠陥が無いシリコンウエーハを効率良く低コストで製造する。【構成】単結晶シリコンインゴットから形成したウエーハを用い、800〜1000°Cの温度範囲において15〜1000°C/minの昇温速度で昇温する初期昇温工程と、1000〜1300°Cの温度範囲において低速で昇温する徐昇温工程と、1100〜1300°Cの温度範囲において5分間以上滞在させる滞在保持工程を行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。前記製造方法によって製造され、20nm以上の大きさの酸素析出物(BMD)密度が103 個/cm3 以下である無欠陥層(DZ層)を、少なくとも3μm以上の肉厚でウエーハ表面に形成したことを特徴とするシリコンウエーハ

Claim (excerpt)：

単結晶シリコンインゴットから形成したウエーハを用い、800〜1000°Cの温度範囲において15〜1000°C/minの昇温速度で昇温する初期昇温工程と、1000〜1300°Cの温度範囲において低速で昇温する徐昇温工程と、1100〜1300°Cの温度範囲において5分間以上滞在させる滞在保持工程を行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/322 , H01L 21/02 , H01L 21/304 311 , H01L 21/324

FI (4)：

H01L 21/322 Y , H01L 21/02 B , H01L 21/304 311 A , H01L 21/324 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

シリコンウエハの製造方法およびシリコンウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-083558 Applicant：東芝セラミックス株式会社

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