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J-GLOBAL ID：200903001790549327

導体回路の形成方法

Inventor： 諏訪 時人 ,  佐通 祐一 ,  吉村 豊房 ,  赤星 晴夫 ,  宮崎 政志 ,  高田 俊成
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996099823
Publication number (International publication number)：1997288358
Application date： Apr. 22, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】レジスト剥離前に紫外線を照射することで、剥離液の浸透性が増し、レジストを効果的に除去し、高精度の微細配線を欠陥なく製造する。【解決手段】レジスト剥離工程の前に、紫外線を0.5J/cm2以上照射する。その後、レジストを剥離して、下地金属のエッチング液で処理して、レジスト残渣を除去することにより、レジスト残りに起因するエッチング残りを防止する。

Claim (excerpt)：

感光性レジストの剥離工程において、剥離処理する前に紫外線を少なくとも0.5J/cm2照射する工程を含むことを特徴とするレジストの剥離方法。

IPC (5)：

G03F 7/42 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/24 ,  H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/42 ,  H05K 3/06 C ,  H05K 3/06 J ,  H05K 3/18 D ,  H05K 3/24 A ,  H01L 21/30 572 B