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J-GLOBAL ID：200903001798347243

半導体単結晶引き上げ装置

Inventor： 久保田 利通 ,  琴岡 敏朗 ,  最勝寺 俊昭 ,  飯田 哲広
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993344980
Publication number (International publication number)：1995172971
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 輻射スクリーンを備えた半導体単結晶引き上げ装置を用いる単結晶の製造において、1200°C以上の高温領域通過時間を長くし、かつ900°C〜500°C前後の温度領域は速やかに通過させることができるようにする。【構成】 黒鉛またはセラミックスの繊維からなる断熱材2aを黒鉛からなる外側部材2bおよび2cで被包した3層構造の上部スクリーン2と、黒鉛または石英もしくはファインセラミックスからなる1層構造の下部スクリーン3とによって輻射スクリーン1を構成する。融液4などの輻射熱は、下部スクリーン3を透過して単結晶6の下部を加熱し、前記高温領域通過時間を長引かせる。上部スクリーン2に包囲されると、単結晶6には前記輻射熱が到達しないため、比較的急速に冷却され、900°C〜500°C前後の温度領域を短時間で通過することができる。

Claim (excerpt)：

半導体単結晶の原料を溶解するるつぼと、このるつぼの周囲にあってるつぼ内の原料を加熱するヒータと、溶解した原料に種子結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構とを備え、引き上げ領域を取り囲む円錐状の断熱筒からなる輻射スクリーンを融液近傍上方に設けた半導体単結晶引き上げ装置において、前記輻射スクリーンの上部と下部の断熱性能を任意の位置で変えたことを特徴とする半導体単結晶引き上げ装置。

IPC (3)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-153595
  
• 特開昭63-315589
  
• 特開平4-331790
  
• 単結晶引上げ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-074661   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社