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J-GLOBAL ID：200903001798457600

薄膜電子部品の製造方法

Inventor： 薄田 真人 ,  長野 克人 ,  斉田 良夫 ,  平林 潤 ,  萩原 淳
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 三澤 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997197494
Publication number (International publication number)：1999040406
Application date： Jul. 23, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 本発明は小型軽量で薄型化を図った薄膜電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラスで構成される基板上に保護膜として耐摩耗性の高いSiB膜2を形成し、電極3を形成した後、電極3の間に抵抗体4を形成する。電極3および抵抗体4を覆うように樹脂等で構成される支持体5を形成する。その後、ガラス基板以外をエッチングマスクで覆いフッ酸溶液に浸してからエッチングを行う。これにより、ガラス基板を除去する。その後、エッチングマスクを除去してチップ抵抗を形成する。

Claim 1：

エッチング剤によって除去可能な基体上に前記エッチング剤によって除去されない保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に薄膜電子素子を形成する工程と、前記薄膜電子素子を覆うように支持体を形成する工程と、前記支持体を形成した後に前記基体を前記エッチング剤によって除去する工程とを有することを特徴とする薄膜電子部品の製造方法。

IPC (2)：

H01C 17/00 ,  H01C 7/00

FI (2)：

H01C 17/00 Z ,  H01C 7/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭60-068690
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-009866   Applicant：富士通株式会社