Pat

J-GLOBAL ID：200903001816720984

レジスト材料

Inventor： 竹村 勝也 ,  石原 俊信 ,  丸山 和政 ,  竹田 好文 ,  重光 稔 ,  伊藤 健一
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993112072
Publication number (International publication number)：1994301211
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 下記一般式(1)で示されるオニウム塩、アルカリ可溶性樹脂、及び下記一般式(2)で示される溶解阻止剤を含有してなるポリマーを有機溶媒に溶解してなることを特徴とするレジスト材料。 (R1)nMX ...(1)(式中、R1は同種又は異種の非置換又は置換芳香族基を示し、Mはスルホニウム又はヨードニウムを示し、Xはp-トルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネートを示す。nは2又は3を示す。)(式中、R2はメチル基又は水素原子を示し、q/p+q=0.1〜0.9である。)【効果】 ポジ型レジストとして高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性が優れているレジスト材料を提供する。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(1)で示されるオニウム塩、 (R1)nMX ...(1)(式中、R1は同種又は異種の非置換又は置換芳香族基を示し、Mはスルホニウム又はヨードニウムを示し、Xはp-トルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネートを示す。nは2又は3を示す。)(B)アルカリ可溶性樹脂、(C)下記一般式(2)で示される溶解阻止剤【化1】(式中、R2はメチル基又は水素原子を示し、q/p+q=0.1〜0.9である。)を含有してなることを特徴とするレジスト材料。

IPC (4)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-107165
  
• 特開平4-156548
  
• 特開平4-211258