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J-GLOBAL ID：200903001824184048

半導体基板表面及び基板中の金属不純物分析方法

Inventor： 渡辺 かおり
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 開口 宗昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997360718
Publication number (International publication number)：1999190730
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板表面及び基板中の金属不純物、特にPt、Rb等貴金属不純物を高精度に、効率良く、安全かつ容易に分析可能な分析方法を提供する。【解決手段】 VPD(Vapor Phase Decomposition )プロセスにおいて、非イオン性表面活性剤、又は当該表面活性剤と希薄な酸との混合溶液を分解回収用液として用いる。得られた回収液と、その後さらに純水で半導体基板上を走査及び回収して得られる純水回収液とを混合し、得られた混合回収液を定量した後に化学分析を行う。又は定量した後に濃縮し、その後に化学分析を行う。

Claim (excerpt)：

VDP(Vapor Phase Decomposition )プロセスにおいて、非イオン性表面活性剤、又は当該表面活性剤と希薄な酸との混合溶液を分解回収用液として用いることを特徴とする半導体基板表面及び基板中の金属不純物分析方法。

IPC (4)：

G01N 33/00 ,  G01N 1/28 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/66

FI (4)：

G01N 33/00 A ,  H01L 21/308 Z ,  H01L 21/66 N ,  G01N 1/28 X