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J-GLOBAL ID：200903001829785520

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 章
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994238667
Publication number (International publication number)：1996107208
Application date： Oct. 03, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄膜半導体装置の製造方法に関し、多結晶シリコンの結晶粒の成長方向をそろえると共に粒径を大きくすることによって電気的特性を均一にし、且つ、その電気的特性自体を改善する。【構成】 非単結晶絶縁性基板1及び2の表面に再結晶化初期の結晶核発生密度の異なる領域3を設け、その上に、非晶質シリコン膜4を堆積したのち熱処理を施すことにより、前記結晶核発生密度の高い領域から再結晶化を開始し、前記結晶核発生密度の低い領域にむけて再結晶化を進行させて多結晶シリコン膜5を形成する。

Claim (excerpt)：

非単結晶絶縁性基板の表面に再結晶化初期の結晶核発生密度の異なる領域を設け、その上に、非晶質シリコン膜を堆積したのち熱処理を施すことにより、前記結晶核発生密度の高い領域から再結晶化を開始し、前記結晶核発生密度の低い領域にむけて再結晶化が進行することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 371