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J-GLOBAL ID：200903001834025932

半導体測定装置

Inventor： 田中 完和 ,  須藤 優子
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 村上 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000016847
Publication number (International publication number)：2001208805
Application date： Jan. 26, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 論理シミュレーション結果とデバイスの入出力状態を対応付けることにより、デバッグの効率を向上させる。【解決手段】 デ-タ変換部2によって論理シミュレーション結果に基づきテストパターンを作成し、テストコントローラ4はテストパターンに基づきデバイス5をテストさせ、波形表示部6はデバイス5のデータ及び論理シミュレーションデータの波形を重ね合わせて表示すると共に、両者の波形を自動比較して評価するようにする。

Claim (excerpt)：

論理シミュレーション結果に基づきテストパターンを作成する手段と、上記テストパターンに基づきデバイスをテストさせる手段と、上記デバイスからのデータ及び論理シミュレーションデータのうち表示したい該当時間の波形を重ね合わせて表示すると共に、任意の時点での波形をズームアップして表示し、更に両者の波形の自動比較による不一致情報を表示する手段とを設けたことを特徴とする半導体測定装置。

IPC (2)：

G01R 31/28 ,  G01R 31/3183

FI (4)：

G01R 31/28 D ,  G01R 31/28 F ,  G01R 31/28 Q ,  G01R 31/28 H

F-Term (8)：

2G032AC03 ,  2G032AC08 ,  2G032AD05 ,  2G032AD07 ,  2G032AE08 ,  2G032AE11 ,  2G032AG04 ,  2G032AL00