レーザ処理装置およびレーザ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005178727
Publication number (International publication number)：2006351977
Application date： Jun. 20, 2005
Publication date： Dec. 28, 2006
Summary：

【課題】等速度運動のみによって大型基板の全域にレーザ光照射による処理を行うことが可能なレーザ処理装置およびレーザ処理方法を提供する。【解決手段】円柱面の外面側または内面側が処理基板Wの支持面11aとして構成された基板支持部11と、基板支持部11の支持面11aに支持された処理基板Wに対してレーザ光を照射する照射ヘッド13-1,13-2,...とを備えたレーザ処理装置1であり、支持面11aを構成する円柱面の軸φを中心にした軌道上においての支持面11aに対する照射ヘッド13-1,13-2,...の相対的な一方向への移動により、支持面11aに支持した処理基板Wの全領域に対して照射ヘッド13-1,13-2,...が走査される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

円柱面の外面側または内面側が処理基板の支持面として構成された基板支持部と、前記基板支持部の支持面に支持された処理基板に対してレーザ光を照射する照射ヘッドとを備えると共に、前記支持面を構成する円柱面の軸を中心にした軌道上においての当該支持面に対する前記照射ヘッドの相対的な一方向への移動により、当該支持面に支持した処理基板の全領域に対して当該照射ヘッドが走査されることを特徴とするレーザ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/20 , B23K 26/08 , B23K 26/42

FI (6)：

H01L21/268 G , H01L29/78 627G , H01L21/20 , H01L21/268 T , B23K26/08 A , B23K26/42

F-Term (38)：

4E068AA05 , 4E068CE01 , 4E068CE11 , 4E068DA10 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110DD01 , 5F110DD21 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110HJ23 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F152AA08 , 5F152AA17 , 5F152CC04 , 5F152CE05 , 5F152EE01 , 5F152EE02 , 5F152EE08 , 5F152EE09 , 5F152FF09 , 5F152FF28 , 5F152FG01 , 5F152FG05 , 5F152FG18 , 5F152FG22 , 5F152FG27 , 5F152FH02 , 5F152FH03 , 5F152FH08 , 5F152FH12 , 5F152FH15 , 5F152FH18 , 5F152FH19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体薄膜結晶化方法及びレーザ照射装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-150819 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (7)

レーザ処理装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-173119 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
レーザビームを用いる電子装置の製造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-525029 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
レーザ加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-221176 Applicant：株式会社富士電機総合研究所

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