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J-GLOBAL ID：200903001841253223

X軸方位ニオブ酸リチウム単結晶育成方法

Inventor： 関 和 秀 幸
Applicant, Patent owner： 日本メクトロン株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993293293
Publication number (International publication number)：1995144998
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 X軸方位ニオブ酸リチウム単結晶をマクロ的欠陥やミクロ的欠陥なしに製造する方法を提供することを目的とするものである。【構成】 るつぼに収容された溶融液に種結晶を接触させ、その種結晶を回転させながら引き上げ、育成方位をX軸とするニオブ酸リチウム単結晶を成長させる際、結晶回転数を種付け時20〜50rpmとし、その後育成が進行するに従い、回転数を減少させることを特徴とするニオブ酸リチウム単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

るつぼに収容された溶融液に種結晶を接触させ、その種結晶を回転させながら引き上げ、育成方位をX軸とするニオブ酸リチウム単結晶を成長させる際、結晶回転数を種付け時20〜50rpmとし、その後育成が進行するに従い、回転数を減少させることを特徴とするニオブ酸リチウム単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/24 ,  C30B 15/30 ,  C30B 15/36