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J-GLOBAL ID：200903001851000960

磁気記憶装置とその製造方法

Inventor： 菊池 暁 ,  木内 克己 ,  渡辺 真 ,  高木 將宏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 福島 康文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994145272
Publication number (International publication number)：1995334958
Application date： Jun. 03, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】コンピュータシステムの外部記憶装置として用いられている磁気記憶装置とその製造方法、特に磁気ヘッドと磁気記憶媒体との摺動面に関し、耐久性に優れた磁気記憶装置を実現すること、特に磁気記憶媒体および磁気ヘッドに用いられる保護膜を改良することを目的とする。【構成】電磁変換素子を搭載した磁気ヘッドスライダ7の少なくとも摺動面側に保護膜Chが積層され、磁気記憶媒体面には保護膜Cmが積層され、その上に潤滑剤の層が設けられた磁気記憶装置において、磁気記憶媒体側の保護膜Cmの液体接触角θmが、磁気ヘッド側の保護膜Chの液体接触角θhより小さい構成とする。

Claim (excerpt)：

電磁変換素子を搭載した磁気ヘッドスライダ7の少なくとも摺動面側に保護膜Chが積層され、磁気記憶媒体面には保護膜Cmが積層され、その上に潤滑剤の層が設けられた磁気記憶装置において、磁気記憶媒体側の保護膜Cmの液体接触角θmが、磁気ヘッド側の保護膜Chの液体接触角θhより小さいことを特徴とする磁気記憶装置。