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J-GLOBAL ID：200903001856157506
半導体レーザー装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994189243
Publication number (International publication number)：1996056055
Application date： Aug. 11, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：
【要約】【目的】 量子閉じ込め構造を活性層としてもつ半導体レーザーにおいて、量子準位の高次励起準位からの発光を得ることにより発振波長の短波長化を図ること、及び複数の波長の発振を可能にすること。【構成】 窒化物系など禁制帯幅の大きい半導体によって構成される量子構造を有する半導体レーザーにおいて、基底準位から励起準位に励起レーザー4により光励起し、高次励起状態(n≧2)キャリアの再結合によるレーザー発振を得る。また励起光を入力及び非入力とすることにより、高次励起状態による発振及び基底状態による発振を選択することができる。【効果】 量子構造を有する活性層の量子準位の励起準位による発振を得ることにより、紫外光での発振及び複数の波長での発振を得ることができ、その波長を選択できる。
Claim (excerpt)：
量子閉じ込め構造を有す半導体レーザーにおいて、量子化された電子準位のある状態からそれより高次の準位n(≧2)を有す状態へ光学的に励起する手段を有し、この励起状態の電子と正孔が結合することによって得られる発光をレーザ光として取り出すことを特徴とする半導体レーザー装置。
IPC (2)：
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