半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊丹勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994147108
Publication number (International publication number)：1995334996
Application date： Jun. 06, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】高速性能と耐ノイズ性向上を図ったROMを提供する。【構成】メモリアレイ101はデータがマスクプログラムされる。アドレスバッファ104は、クロック同期によりアドレスデータを時分割で取り込む2系統のアドレスラッチ111a,111bとそのラッチデータを選択して出力するセレクタ112により構成される。データセンス回路105は、クロック同期によりデータセンスとラッチを時分割で行う2系統のセンスアンプ113a,113bと、そのラッチデータを選択して出力するセレクタ114により構成される。クロック生成回路107は、これらのアドレスバッファ104及びデータセンス回路105に時分割動作を行わせるための同期クロック信号を生成する。

Claim (excerpt)：

データが不揮発に記憶されるメモリアレイと、このメモリアレイのデータを選択するアドレスを取り込むクロック同期式のアドレスバッファと、前記メモリアレイの選択されたデータを読み出すクロック同期式のデータセンス回路と、前記アドレスバッファ及びデータセンス回路内をそれぞれ時分割動作させるための同期クロックを生成するクロック生成回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-043894
特開昭61-187197
特開平4-243085

Show all

Return to Previous Page