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J-GLOBAL ID：200903001873433967
半導体記憶装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245549
Publication number (International publication number)：1993006975
Application date： Sep. 25, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は上記課題を解決するもので、記憶ノ-ドの端部に急峻な角を有せず、誘電体膜の絶縁破壊が発生し難い半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体記憶装置は、半導体基板上1に形成された蓄積容量を含む複数のメモリセルを備えた半導体記憶装置であって、縁の角が丸味を持つ形状である記憶ノード10と、この記憶ノード10上に形成された容量絶縁膜11と、この容量絶縁膜11上に形成されたプレート電極12から蓄積容量が構成されたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された蓄積容量を含む複数のメモリセルを備えた半導体記憶装置であって、縁の角が丸味を持つ形状である記憶ノードと、この記憶ノード上に形成された容量絶縁膜と、この容量絶縁膜上に形成されたプレート電極から前記蓄積容量が構成されたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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