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J-GLOBAL ID:200903001894839017

平面型磁気素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992063453
Publication number (International publication number):1993267085
Application date: Mar. 19, 1992
Publication date: Oct. 15, 1993
Summary:
【要約】【目的】コイル導体間スペースが狭い場合でも、絶縁膜を確実に充填することができ、エッチバックなどの技術を使用せずに表面の平坦化が可能であり、高性能の平面型磁気素子を簡単に製造することができる方法を提供する。【構成】磁性膜3上に絶縁膜4を介して導体膜5を形成し、導体膜5をパターンニングしてコイル導体7を形成し、コイル導体7の間隙および表面に液相酸化法により絶縁膜8を充填・被覆した後、絶縁膜8の表面に磁性膜9を形成する。
Claim (excerpt):
磁性膜上に絶縁膜を介して導体膜を形成する工程と、該導体膜をパターンニングしてコイル導体を形成する工程と、コイル導体の間隙および表面に液相酸化法により絶縁膜を充填・被覆する工程と、該絶縁膜の表面に磁性膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする平面型磁気素子の製造方法。
IPC (2):
H01F 41/04 ,  H01F 17/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-188607
  • 特開平1-235259
  • 特開平3-188607
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