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J-GLOBAL ID：200903001913288000
固体撮像装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997059244
Publication number (International publication number)：1998257394
Application date： Mar. 13, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】フォトダイオードの暗時のリーク電流が小さく、ダイナミックレンジの大きい固体撮像装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の固体撮像装置は、半導体基板の上に形成されたp型半導体層1と、上記p型半導体層1の表面に形成されたn型半導体層2、n型半導体層3と、上記p型半導体層1の表面に酸化膜4を挟んで堆積されたゲート電極5とを有し、上記p型半導体層1とn型半導体層2によりダイオードを形成し、上記半導体層1乃至3によりトランジスタを形成し、当該トランジスタのドレインに相当するn型半導体層3を深く形成し、当該ドレインに拡散電流を集めることを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
光を電荷に変換する光電変換素子と、トランジスタとを有する固体撮像装置において、半導体基板の上に形成された第1の半導体層と、上記第1の半導体層の表面に形成された第2及び第3の半導体層と、上記第1の半導体層の表面に酸化膜を挟んで堆積された転送電極層と、を有し、上記第1及び第2の半導体層により上記光電変換素子を形成し、上記第1乃至第3半導体層及び上記転送電極層により上記トランジスタを形成し、当該トランジスタのドレインに相当する上記第3の半導体層を溝により形成し、当該ドレインに第1の半導体層の拡散電流を集めることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2)：
FI (3)：
H04N 5/335 R
, H04N 5/335 E
, H01L 27/14 A
