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J-GLOBAL ID：200903001920925598

光導波路端部ミラーの形成方法

Inventor： 小 池 真 司 ,  高 原 秀 行
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993056932
Publication number (International publication number)：1994265738
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 薄膜光導波路部品の光導波路に反射ミラーを形成するに際し、多数の反射ミラーを同時に一括して形成し、ミラー形成時間の大幅な短縮を図れるようにする。【構成】 熱酸化シリコン基板2上に光導波路コア1となるフッ素化ポリイミド膜A1 、エッチングマスク3 となるシリコン系ポジ型フォトレジストA3 を順に成膜する。開口部の大きさまたは密度が光導波路長手方向に漸次増加,減少するマスクパターン6を一部に備えたフォトマスク4を用いてフォトレジストA3をパタニングする。斜面構造7が形成されたフォトレジストA3 (エッジングマスク3)とその下層膜(ポリイミド膜A1 )を酸素プラズマPを用いた反応性イオンエッチング等によりエッチングする。斜面構造7位置の光導波路コア1に反射ミラー8が形成される。

Claim (excerpt)：

誘電体基板上に形成された光導波路に、光導波路中の導波光を反射するミラーを一体的に形成する方法であって、(a) 誘電体基板上に光導波路コア材を成膜した後、この光導波路コア材上にフォトレジストを成膜する工程と、(b) 開口部の大きさまたは密度が光導波路の長手方向に漸次増加または減少するマスクパターンを一部に備えたフォトマスクを用いて、前記フォトレジストをパタニングする工程と、(c) 前記パタニングされたフォトレジストとその下層膜とをドライエッチング法によりエッチングする工程からなることを特徴とする光導波路端部ミラーの形成方法。