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J-GLOBAL ID：200903001922983811
p型半導体薄膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993309987
Publication number (International publication number)：1995161644
Application date： Dec. 10, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 有機金属気相成長法(MOCVD)を用いて、II族元素及びVI族元素が主成分であるp型半導体を製造する。【構成】 p型ドーピング原料としてアジド基を有する有機物材料を用い、その原料を不活性ガスを用いてバブリングするという方法を用いる。【効果】 製造膜中に取り込まれる水素原子が抑えられ、p型ドーパントとして働く窒素原子を活性化し、より高いp型キャリア濃度の製造膜を提供することができる。
Claim (excerpt)：
有機金属気相成長法によるp型II-VI族化合物半導体の製造方法において、アジド基を有する有機物材料をp型ドーピング原料としてを用い、該p型ドーピング原料は希ガスあるいは窒素ガスを用いてバブリングすることにより供給されることを特徴とするp型半導体薄膜の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/365
