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J-GLOBAL ID：200903001925415911
屈折率多次元周期構造の作製方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996115097
Publication number (International publication number)：1997304611
Application date： May. 09, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 化合物半導体材料で構成され所望の厚さを有した屈折率多次元周期構造を簡易に作製できる方法を提供する。【解決手段】 周期的な凹凸構造11xを表面に有したGaAs基板11を用意する。この基板11の表面上に、屈折率が異なる2種類の薄膜としてAlAs薄膜13およびGaAs薄膜を、交互にかつそれぞれの膜厚が前記凹凸における段差Hと等しいか実質的に等しい膜厚となるように積層する。
Claim (excerpt)：
周期的な凹凸構造を表面に有した下地を用意し、該下地の前記表面上に、屈折率が異なる2種類の薄膜を、交互にかつそれぞれの膜厚が前記凹凸における段差と等しいか実質的に等しい膜厚となるように積層することを特徴とする屈折率多次元周期構造の作製方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
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