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J-GLOBAL ID:200903001931524323
原子層成長プロセスのための処理チャンバ
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
川口 義雄 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000592464
Publication number (International publication number):2002534786
Application date: Dec. 16, 1999
Publication date: Oct. 15, 2002
Summary:
【要約】標準的なクラスタツール1100に適用可能な処理ステーション1201が、ヒータプレート1303を含むウェーハ支持表面1307をもつ垂直移動可能なペデスタル1215を備える。下部位置では、処理ステーション1201との間でウェーハ1219が搬送されることができ、上部位置で、ペデスタル1215は、処理チャンバ1204にある下部円形開口とともに環状排気通路を形成する。処理チャンバ1204の下部開口にある取り替え可能なリング1253により、プロセス排気速度を異なるプロセスに合わせることができる。ペデスタル1215は、ペデスタル1215の周辺に環状排気通路を規定する周囲側板1257も備える。2つのゾーンからなるヒータプレート1303が、ペデスタル1215の最上部に適用され、フィードスルー1301と接続することにより、ヒータプレート1303を迅速かつ簡単に置き換えることができる。処理チャンバ1204の最上部は取り外し可能であるため、ユーザがペデスタル1215またはヒータ1303アセンブリのいずれかを取り外すことができる。このシステムは、原子層成長プロセスに適用される。
Claim (excerpt):
第1の断面積を有する下縁を備えた処理チャンバ部分と、 処理チャンバ部分の下に位置され、第1の断面積よりも大きい真空排気ポート、基板搬送ポート、および処理チャンバの円形下縁の下に位置する第2の断面積を備えるベースチャンバ部分と、 第1の断面積よりも小さい第3の断面積をもつ上側基板支持表面を備え、垂直方向の並進移動を可能にするダイナミック真空シールにより、基板搬送ポートの下でベースチャンバ部分に適用された基板支持ペデスタルと、 処理チャンバの円形下縁と実質的に同一平面の処理位置か、または排気ポートの上方であり基板搬送ポートの下方であるベースチャンバ部分内の下側搬送位置に、上側支持表面を位置させるように、基板支持ペデスタルを並進移動するように適用された垂直並進移動ドライブシステムと、 処理チャンバに取り付けられ、原子層成長(ALD)プロトコルによりガスを供給する取り外し可能なガス供給リッドとを具備し、 基板支持ペデスタルが処理位置にあるときに、基板支持ペデスタルの断面積と、より大きい第1の断面積とが、処理チャンバ部分から真空排気ポートを介した第1の制限された排気速度を決定する第1の全有効面積を有する第1の排気通路を形成し、また、基板支持ペデスタルが下方搬送位置にあるときに、基板支持ペデスタルの断面積と、より大きい第2の断面積とが、第1の有効面積よりも大きな第2の有効面積をもつ第2の環状排気通路を形成して、処理チャンバからの第2の排気速度を第1の制限された排気速度よりも速くすることが可能である、クラスタツールシステムのためのALD処理ステーション。
IPC (3):
H01L 21/205
, B01J 19/00
, C23C 16/455
FI (3):
H01L 21/205
, B01J 19/00 L
, C23C 16/455
F-Term (27):
4G075AA24
, 4G075AA62
, 4G075AA63
, 4G075BA05
, 4G075BC04
, 4G075BD14
, 4G075CA02
, 4G075CA05
, 4G075CA65
, 4G075ED20
, 4K030BB00
, 4K030EA11
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030GA12
, 4K030KA23
, 4K030LA15
, 5F045BB01
, 5F045EC01
, 5F045EE20
, 5F045EF13
, 5F045EF20
, 5F045EG02
, 5F045EG06
, 5F045EM02
, 5F045EM09
, 5F045EM10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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化学蒸着プロセスのための多目的プロセス室
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-538668
Applicant:ジーナス・インコーポレーテッド
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