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J-GLOBAL ID：200903001937491818

酸化膜のエッチング方法およびその装置

Inventor：
小柳 哲雄

About 小柳 哲雄


Applicant, Patent owner：
アイシーエフ株式会社

About アイシーエフ株式会社


Agent (2)： 佐野 章吾 ,  寒川 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006207782
Publication number (International publication number)：2008034688
Application date： Jul. 31, 2006
Publication date： Feb. 14, 2008
Summary：
【課題】完全なドライ環境の下で酸化膜のエッチング速度を抑制し、かつ、シリカ残渣が残らない酸化膜のエッチング方法およびその装置を提供する。【解決手段】酸化膜が形成された半導体ウエハWを、80°C乃至120°Cの所定の温度下でかつ12Kpa乃至40Kpaの範囲内の所定の減圧下に保持した反応室2内に置き、この状態で、無水フッ化水素ガスを所定の混合比率で窒素ガスにより希釈化した反応ガスGに曝してエッチングを行なう。エッチング速度は、無水フッ化水素ガスと窒素ガスの混合比率により調節する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
酸化膜が形成された半導体ウエハを、80°C乃至120°Cの所定の温度下でかつ12Kpa乃至40Kpaの範囲内の所定の減圧下に保持した状態で、無水フッ化水素ガスを所定の混合比率で不活性ガスにより希釈化した反応ガスに曝すことを特徴とする酸化膜のエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304
FI (2)：
H01L21/302 102 ,  H01L21/304 645B
F-Term (11)：
5F004AA13 ,  5F004BA19 ,  5F004BB24 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA20 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004FA08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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