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J-GLOBAL ID：200903001939584643

絶縁体上シリコン基板上に歪Si/SiGe層を用いた良好な移動度を有するNMOSおよびPMOSトランジスタ

Inventor： ダグラス ジェームス トゥイート ,  シェン テン スー
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002127359
Publication number (International publication number)：2002368230
Application date： Apr. 26, 2002
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 絶縁体上シリコン基板上に歪Si/SiGe層を用いた高性能NMOSトランジスタおよび高性能PMOSトランジスタを提供すること【解決手段】 本発明の金属酸化物半導体トランジスタは、内部に基板シリコン層を含む絶縁体上シリコン基板と、基板シリコン層上に位置するシリコンゲルマニウム層と、シリコンゲルマニウム層上に位置する上部シリコン層とを備える。厚さ10〜40nmの範囲の基板シリコン層を用いてこのように構成することにより、シリコンゲルマニウム層は圧縮歪みの状態であり、上部シリコン層と基板シリコン層とは引っ張り歪みの状態とすることが可能となる。従って、転位密度が高くなることなく、圧縮歪SiGe層と引っ張り歪Si層との両方を提供することができる。その結果、ホールおよび電子の良好な移動度が得られ、デバイス性能が向上する。

Claim (excerpt)：

金属酸化物半導体トランジスタであって、内部に基板シリコン層を含む絶縁体上シリコン基板と、該基板シリコン層上に位置するシリコンゲルマニウム層と、該シリコンゲルマニウム層上に位置する上部シリコン層とを備え、該シリコンゲルマニウム層は圧縮歪みの状態であり、該上部シリコン層と該基板シリコン層とは引っ張り歪みの状態であり、該基板シリコン層の厚さは10〜40nmの範囲である、トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092

FI (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 618 E

F-Term (30)：

5F048AC03 ,  5F048BA05 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BD01 ,  5F048BD05 ,  5F048BD09 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB06 ,  5F052GC03 ,  5F052HA04 ,  5F052JA01 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110GG44 ,  5F110GG47