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J-GLOBAL ID:200903001941157833

光電変換素子、撮像素子、並びに、光電変換素子および撮像素子に電場を印加する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005240264
Publication number (International publication number):2007059483
Application date: Aug. 22, 2005
Publication date: Mar. 08, 2007
Summary:
【課題】本発明の目的は、光電変換効率が高く、さらに吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光電変換素子(好ましくはカラーイメージセンサー)を提供する。【解決手段】1×10-4cm2/V・s以上のキャリア移動度を示す有機半導体化合物を含む光電変換膜からなる光電変換素子、好ましくは撮像素子、並びに、該光電変換素子及び撮像素子に電場を印加する方法、及び印加した素子。【選択図】 なし
Claim 1:
1×10-4cm2/V・s以上のキャリア移動度を示す有機半導体化合物を含むことを特徴とする光電変換膜からなる光電変換素子。
IPC (1):
H01L 31/10
FI (1):
H01L31/10 A
F-Term (10):
5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NB05 ,  5F049QA07 ,  5F049SE04 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ01 ,  5F049SZ08 ,  5F049SZ10 ,  5F049UA11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)

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