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J-GLOBAL ID：200903001943899080

窒化物半導体層の成長方法

Inventor：
阿部 雅俊

About 阿部 雅俊


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (2)： 小野 由己男 ,  堀川 かおり
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004176875
Publication number (International publication number)：2006004990
Application date： Jun. 15, 2004
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：
【課題】基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。【解決手段】(a)基板の上に、第1の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、(b)該第1の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、(c)得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第2の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。【選択図】 なし
Claim 1：
(a)基板の上に、第1の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、 (b)該第1の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、 (c)得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第2の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする窒化物半導体層の成長方法。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (4)：
H01L33/00 C ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205
F-Term (35)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA03 ,  5F045HA13 ,  5F045HA23 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (4)
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