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J-GLOBAL ID：200903001944499328

差動電流モード伝送回路

Inventor：
空元 孝夫

About 空元 孝夫

, 
小笹 正之

About 小笹 正之

, 
小林 仁

About 小林 仁


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007051811
Publication number (International publication number)：2008219283
Application date： Mar. 01, 2007
Publication date： Sep. 18, 2008
Summary：
【課題】高周波特性が良好で、出力段の耐圧が高い差動電流モード伝送回路を提供する。【解決手段】Si-BJT(接合型バイポーラシリコントランジスタ)を用いて構成された第一のバッファ3と、SiGeHBT(シリコン-ゲルマニウムへテロ接合型バイポーラトランジスタ)、またはSiGeHBTとSi-BJT、またはSiGeHBT、シリコンMOSFETおよびSi-BJTを用いて構成された信号処理回路4と、SiGeHBTとSi-BJT、またはSiGeHBTとシリコンMOSFETを用いて構成された最終段の第二のバッファ5とを備え、第一のバッファ、信号処理回路および第二のバッファが、同一半導体チップに集積される。【選択図】図1
Claim 1：
Si-BJT(接合型バイポーラシリコントランジスタ)を用いて構成された第一のバッファと、 SiGeHBT(シリコン-ゲルマニウムへテロ接合型バイポーラトランジスタ)を用いて構成された信号処理回路と、 SiGeHBTとSi-BJTを用いて構成された最終段の第二のバッファとを備え、 前記第一のバッファ、前記信号処理回路および前記第二のバッファが、同一半導体チップに集積された差動電流モード伝送回路。
IPC (7)：
H03F 3/19 ,  H03F 3/45 ,  H03F 3/68 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/082 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/06
FI (7)：
H03F3/19 ,  H03F3/45 Z ,  H03F3/68 Z ,  H01L27/08 101B ,  H01L27/06 101U ,  H01L27/06 101D ,  H01L27/06 321B
F-Term (43)：
5F048AA10 ,  5F048AB05 ,  5F048AB07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC07 ,  5F048BA14 ,  5F082AA02 ,  5F082AA06 ,  5F082BA35 ,  5F082BC03 ,  5F082BC09 ,  5F082BC15 ,  5F082CA01 ,  5F082FA03 ,  5F082FA13 ,  5F082FA17 ,  5F082FA20 ,  5F082GA04 ,  5J500AA01 ,  5J500AA11 ,  5J500AA12 ,  5J500AA22 ,  5J500AC33 ,  5J500AC62 ,  5J500AF15 ,  5J500AH02 ,  5J500AH06 ,  5J500AH10 ,  5J500AH25 ,  5J500AH30 ,  5J500AK05 ,  5J500AK06 ,  5J500AK12 ,  5J500AK20 ,  5J500AK48 ,  5J500AM04 ,  5J500AM08 ,  5J500AM17 ,  5J500AM22 ,  5J500AS13 ,  5J500AT01 ,  5J500DN01 ,  5J500DP02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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