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J-GLOBAL ID:200903001944499328
差動電流モード伝送回路
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007051811
Publication number (International publication number):2008219283
Application date: Mar. 01, 2007
Publication date: Sep. 18, 2008
Summary:
【課題】高周波特性が良好で、出力段の耐圧が高い差動電流モード伝送回路を提供する。【解決手段】Si-BJT(接合型バイポーラシリコントランジスタ)を用いて構成された第一のバッファ3と、SiGeHBT(シリコン-ゲルマニウムへテロ接合型バイポーラトランジスタ)、またはSiGeHBTとSi-BJT、またはSiGeHBT、シリコンMOSFETおよびSi-BJTを用いて構成された信号処理回路4と、SiGeHBTとSi-BJT、またはSiGeHBTとシリコンMOSFETを用いて構成された最終段の第二のバッファ5とを備え、第一のバッファ、信号処理回路および第二のバッファが、同一半導体チップに集積される。【選択図】図1
Claim 1:
Si-BJT(接合型バイポーラシリコントランジスタ)を用いて構成された第一のバッファと、
SiGeHBT(シリコン-ゲルマニウムへテロ接合型バイポーラトランジスタ)を用いて構成された信号処理回路と、
SiGeHBTとSi-BJTを用いて構成された最終段の第二のバッファとを備え、
前記第一のバッファ、前記信号処理回路および前記第二のバッファが、同一半導体チップに集積された差動電流モード伝送回路。
IPC (7):
H03F 3/19
, H03F 3/45
, H03F 3/68
, H01L 21/822
, H01L 27/082
, H01L 21/824
, H01L 27/06
FI (7):
H03F3/19
, H03F3/45 Z
, H03F3/68 Z
, H01L27/08 101B
, H01L27/06 101U
, H01L27/06 101D
, H01L27/06 321B
F-Term (43):
5F048AA10
, 5F048AB05
, 5F048AB07
, 5F048AB10
, 5F048AC07
, 5F048BA14
, 5F082AA02
, 5F082AA06
, 5F082BA35
, 5F082BC03
, 5F082BC09
, 5F082BC15
, 5F082CA01
, 5F082FA03
, 5F082FA13
, 5F082FA17
, 5F082FA20
, 5F082GA04
, 5J500AA01
, 5J500AA11
, 5J500AA12
, 5J500AA22
, 5J500AC33
, 5J500AC62
, 5J500AF15
, 5J500AH02
, 5J500AH06
, 5J500AH10
, 5J500AH25
, 5J500AH30
, 5J500AK05
, 5J500AK06
, 5J500AK12
, 5J500AK20
, 5J500AK48
, 5J500AM04
, 5J500AM08
, 5J500AM17
, 5J500AM22
, 5J500AS13
, 5J500AT01
, 5J500DN01
, 5J500DP02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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高周波半導体回路および高周波半導体集積回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-139862
Applicant:三菱電機株式会社
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差動信号受信回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-392897
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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