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J-GLOBAL ID：200903001949821082

低抵抗p型GaN結晶の製造方法

Inventor： 吉田 博
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 小倉 亘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996258054
Publication number (International publication number)：1998101496
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 1019〜1020cm-3の高濃度にドーピングしたp型GaN結晶を得る。【解決手段】 MBE法でGaN結晶を成長させる際、N2 ガスを電磁波で分解すると共にSi蒸気又は原子状Oを発生させ、Mg:Si=2:1,Mg:O=2:1,Be:Si=2:1又はBe:O=2:1に調製した原子状混合ガスを結晶成長域に導入する。原子状混合ガスは、MOCVD法ではGa,Mg,Beの有機金属ガスを電磁波RFで分解することにより調製される。【効果】 Si又はOとMg又はBeを1:2の割合で同時ドーピングするとき、Ga位置及びN位置を占めるn型ドーパントSi又はOとp型ドーパントMg又はBeが1:1の対を形成し、この原子対の周りに更に1個のMg又はBe原子が配位し、アクセプターとして働く。その結果、高濃度までアクセプターが活性化し、p型ドーパントMg又はBeを高濃度までドーピングできる。

Claim (excerpt)：

MBE法又はMOCVD法でGaN結晶を成長させる際、Si:Mg=1:2,O:Mg=1:2,Si:Be=1:2又はO:Be=1:2に調製した原子状混合ガスを結晶成長域に導入し、Si又はOをMg又はBeと同時ドーピングすることを特徴とする低抵抗p型GaN結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02 ,  H01S 3/18

FI (4)：

C30B 29/38 D ,  C30B 23/08 M ,  C30B 25/02 Z ,  H01S 3/18