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J-GLOBAL ID：200903001958236885

投影露光方法および露光装置

Inventor： 中川 健二 ,  小林 勝義
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992191995
Publication number (International publication number)：1994036985
Application date： Jul. 20, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造などでの微細加工におけるフォトリソグラフィでの縮小投影露光方法および装置に関し、露光の際に基板位置の光軸方向に上下移動することと多重露光とを組み合わせた縮小投影露光方法において、パターンの像質劣化を抑えるように焦点深度の増大を図る方法を提供し、そのための縮小投影露光装置を提供する。【構成】 照明光源1からの光を照明光学系3によりレチクル2に導き、投影光学系4により該レチクル上の所定パターンを基板5上のレジスト層に投影する縮小露光方法において、投影光学系4に対して定まる照明光学系3のコヒーレンスファクターσ値を0.1<σ≦0.4の範囲に設定し、かつレチクル2上のパターンのレジスト層への露光の際に、基板およびレジスト層を投影光学系4の光軸方向に移動させて多焦点多重露光するように構成する。

Claim (excerpt)：

照明光源からの光を照明光学系によりレチクルに導き、投影光学系により該レチクル上の所定パターンを基板上のレジスト層に投影する縮小投影露光方法において、前記投影光学系(4)に対して定まる前記照明光学系(3)のコヒーレンスファクターσ値を0.1<σ≦0.4の範囲に設定し、かつ前記レチクル(2)上のパターンの前記レジスト層への露光の際に、前記基板(5)と前記投影光学系(4)による前記所定パターンの像とを光軸方向で相対的に移動させて露光することを特徴とする露光方法。