Pat

J-GLOBAL ID：200903001968710542

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 二尚
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005232857
Publication number (International publication number)：2007048995
Application date： Aug. 11, 2005
Publication date： Feb. 22, 2007
Summary：

【課題】 ダイシング工程において、膜剥れ防止膜を形成する際に膜剥れが従来より少なく良品の多い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ1に半導体素子を形成し、ダイシングライン2、3の両側に間隔を開けてレーザ照射光を当て、膜剥れ防止溝を形成する。半導体ウェハ1をダイシングライン2、3に沿ってダイシングを行い複数の半導体チップに分割する。レーザ照射光は、少なくとも一部は間欠的にレーザ照射を行う離散光である。レーザ照射が少なく、熱の影響が低減されるので、膜剥れ防止膜を形成する際に膜剥れが従来より少なく良品の多いダイシング処理が行われる。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

半導体ウェハに半導体素子を形成する工程と、 前記半導体ウェハのダイシングラインの両側に間隔を置いてレーザ照射光を当て、膜剥れ防止溝を形成する工程と、 前記半導体ウェハをダイシングラインに沿ってダイシングを行い複数の半導体チップに分割する工程とを備え、 前記レーザ照射光は、少なくとも一部は間欠的にレーザ照射を行う離散光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1)：

H01L 21/301

FI (1)：

H01L21/78 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-006387   Applicant：株式会社東芝