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J-GLOBAL ID：200903001981805030

高移動度トランジスタ

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998057070
Publication number (International publication number)：1999261053
Application date： Mar. 09, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 GaN系化合物半導体から成り、高圧印加が可能な高移動度トランジスタ(HEMT)を提供する。【解決手段】 半絶縁性基板1の上に、i型半導体層3,n型半導体層4をこの順序で積層して成る積層構造1Aが形成され、各半導体層はいずれもGaN系化合物半導体から成り、n型半導体層4の上にはGaN系化合物半導体から成るp型半導体層5を介してゲート電極Gが装荷され、またn型半導体層4の上には直接ソース電極Sとドレイン電極Dがそれぞれ装荷されており、p型半導体層5が、p型GaN層もしくはp型InGaN層の1層構造、またはp型GaN層にp型InGaN層を積層して成る2層構造である。

Claim (excerpt)：

半絶縁性基板の上に、i型半導体層,n型半導体層をこの順序で積層して成る積層構造が形成され、前記各半導体層はいずれもGaN系化合物半導体から成り、前記n型半導体層の上にはGaN系化合物半導体から成るp型半導体層を介してゲート電極が装荷され、また前記n型半導体層の上には直接ソース電極とドレイン電極がそれぞれ装荷されていることを特徴とする高移動度トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-229861
  
• 特開昭62-171164