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J-GLOBAL ID:200903001982621617

銅配線の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 森 道雄 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996229466
Publication number (International publication number):1998074708
Application date: Aug. 30, 1996
Publication date: Mar. 17, 1998
Summary:
【要約】【課題】微細なパターンを形成できる銅配線の形成方法を提供することを目的としている。【解決手段】基板1上の凹部3が形成された絶縁膜2(図1(a))上に、基板1に高周波電界および/または直流電界を印加しつつECRプラズマスパッタ法により銅薄膜5を成膜し(図1(c))、この成膜された銅薄膜5を熱処理によりリフローさせて絶縁膜2に形成された凹部3を銅5で埋めた(図1(d))後、凹部3以外の不要な銅薄膜5cを除去して、絶縁膜2に微細なパターンの銅配線6を形成する(図1(e))。
Claim (excerpt):
基板上の凹部が形成された絶縁膜上に、基板に電界を印加しつつECRプラズマスパッタ法により銅薄膜を成膜し、この成膜された銅薄膜を熱処理によりリフローさせて絶縁膜の凹部を銅で埋めた後、絶縁膜の凹部以外部分の銅薄膜を除去することを特徴とする銅配線の形成方法。
IPC (4):
H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 14/35 ,  H01L 21/3205
FI (4):
H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z ,  C23C 14/35 F ,  H01L 21/88 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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