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J-GLOBAL ID:200903001985748626

ダメージ回復処理の処理条件検査方法および処理条件最適化方法、ダメージ回復処理システム、記憶媒体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高山 宏志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008147701
Publication number (International publication number):2009158909
Application date: Jun. 05, 2008
Publication date: Jul. 16, 2009
Summary:
【課題】ダメージ回復処理単独でのプロセス確認を行うことができ、プロセス条件のずれを高感度で検出することができるダメージ回復処理の処理条件検査方法を提供すること。【解決手段】エッチングおよびアッシングによりダメージを受けたLow-k膜に対して処理ガスによりOH基部分を改質するダメージ回復処理の処理条件検査方法は、OH基含有フォトレジスト膜が形成されたウエハを準備する工程と、そのフォトレジスト膜の初期膜厚を測定する工程と、初期膜厚測定後の基板にダメージ回復処理としてのシリル化処理を施す工程と、シリル化処理後のフォトレジスト膜の膜厚を測定する工程と、シリル化処理前後のフォトレジスト膜の膜厚差を求める工程と、その膜厚差に基づいてシリル化処理の処理条件の適否を判断する工程とを含む。【選択図】図3
Claim (excerpt):
所定の処理によりダメージを受けてOH基が存在するようになる膜に対して処理ガスによりOH基部分を改質するダメージ回復処理の処理条件検査方法であって、 OH基含有樹脂膜が形成された基板を準備する工程と、 前記OH基含有樹脂膜の初期膜厚を測定する工程と、 初期膜厚測定後の基板にダメージ回復処理を施す工程と、 前記ダメージ回復処理後の前記OH基含有樹脂膜の膜厚を測定する工程と、 前記ダメージ回復処理の前後の前記OH基含有樹脂膜の膜厚差を求める工程と、 前記膜厚差に基づいて前記ダメージ回復処理の処理条件の適否を判断する工程と を含むダメージ回復処理の処理条件検査方法。
IPC (4):
H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (4):
H01L21/316 P ,  H01L21/312 C ,  H01L21/312 D ,  H01L21/90 J
F-Term (20):
5F033MM02 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033XX00 ,  5F058AA03 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC08 ,  5F058AG04 ,  5F058AG06 ,  5F058AG07 ,  5F058AH02 ,  5F058AH04 ,  5F058BH12 ,  5F058BH15 ,  5F058BH16 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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