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J-GLOBAL ID:200903001994519583
半導体素子及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
志賀 正武
, 渡邊 隆
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004256860
Publication number (International publication number):2006073862
Application date: Sep. 03, 2004
Publication date: Mar. 16, 2006
Summary:
【課題】 短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ(WBCSP)を提供する。【解決手段】 本発明のWBCSPは、パッド33上に再配線パターン47aが、絶縁層43上に再配線パターン47bがそれぞれ形成され、再配線パターン47a、47b上にバンプ電極36a、36bが形成され、再配線パターン47bとパッド32とはボンディングワイヤ38により接続され、再配線パターン47a、47b及びボンディングワイヤ38は絶縁層39により封止され、ボンディングワイヤ38の最上部は、再配線パターン47a、47bより上方かつバンプ電極36a、36bの下端部より下方に位置していることを特徴とする。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置してなることを特徴とする半導体素子。
IPC (4):
H01L 23/12
, H01L 21/60
, H01L 23/52
, H01L 21/320
FI (4):
H01L23/12 501P
, H01L23/12 501V
, H01L21/60 301A
, H01L21/88 T
F-Term (23):
5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033JJ01
, 5F033JJ07
, 5F033JJ11
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033NN03
, 5F033NN07
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033SS11
, 5F033VV04
, 5F033VV07
, 5F044AA15
, 5F044QQ00
, 5F044QQ08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-233874
Applicant:日本電気株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-081644
Applicant:株式会社日立製作所
-
樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-120687
Applicant:三菱電機株式会社
Cited by examiner (1)
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