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J-GLOBAL ID：200903001998399108
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992266193
Publication number (International publication number)：1994120338
Application date： Oct. 05, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：
【要約】【構成】P型不純物の拡散によってN型シリコン基板30の一方表面にP型領域33が形成される。次いで、格子状に溝36が形成され、この溝36の内壁面にパッシベーションガラス膜37が被着される。そして、溝36の底部付近のパッシベーションガラス膜37がレーザビーム45で除去され、その除去された部分からダイシングソー40で基板30が切断される。【効果】パッシベーションガラス膜37にダイシングソー40が触れることがない。このため、パッシベーションガラス膜37には、クラック等が生じない。したがって、高耐圧のメサ型ダイオードを得ることができる。
Claim (excerpt)：
PN接合部を有するメサ形状部の傾斜面に上記PN接合部を被覆するパッシベーション膜を備えた半導体装置を製造する方法であって、半導体基板にPN接合を形成する工程と、上記メサ形状部を形成するために、上記半導体基板の表面をエッチングして上記PN接合よりも深い溝をパターン形成する工程と、上記溝の壁面にパッシベーション膜を被着させる工程と、上記溝の底部付近のパッシベーション膜をレーザビームを照射して除去する工程と、上記半導体基板の溝の底部付近をダイシングソーで切断する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/78
, H01L 21/304 301
, H01L 21/316
, H01L 29/06
, H01L 21/329
