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J-GLOBAL ID：200903002004696105
ダイヤモンドライクカーボン厚膜の作製方法及び装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小林 良平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992213535
Publication number (International publication number)：1994033239
Application date： Jul. 16, 1992
Publication date： Feb. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 数μm以上の厚いダイヤモンドライクカーボン(DLC)皮膜を、基材との剥離や皮膜内のクラックを全く発生させることなく、作製する。【構成】 カソード結合型プラズマ反応器内に炭化水素ガスを導入し、カソードに高周波電圧を印加して炭化水素ガスをプラズマ化させ、カソード上に載置した被コーティング材の表面に衝突させることにより該表面にDLC皮膜を作製するDLC皮膜作製方法において、カソード近傍に形成されるイオンシースにおける自己バイアス電圧Vdcが時間tとともに増減するように、カソードに印加する高周波の電力を変化させる。
Claim (excerpt)：
カソード結合型プラズマ反応器内に炭化水素ガスを導入し、カソードに高周波電圧を印加して炭化水素ガスをプラズマ化させ、カソード上に載置した被コーティング材の表面に衝突させることにより該表面にダイヤモンドライクカーボン皮膜を作製する方法において、カソード近傍に形成されるイオンシースにおける自己バイアス電圧が時間とともに増減するように、カソードに印加する高周波の電力を変化させることを特徴とするダイヤモンドライクカーボン厚膜の作製方法。
IPC (3)：
C23C 16/26
, C30B 25/02
, C30B 29/04
