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J-GLOBAL ID：200903002020221486

半導体発光素子とその製造方法

Inventor： 阿部 弘光 ,  尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 佐野 静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994280332
Publication number (International publication number)：1996148716
Application date： Nov. 15, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 発光効率の優れた半導体発光素子とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 n-GaAs基板2、n-GaAsバッファ層3、n-AlGaInPクラッド層4、ノンドープAlGaInP活性層5、p-AlGaInPクラッド層6、p-AlGaAs層7、p-GaAsコンタクト層8をMOCVD法で連続的に結晶成長し、その上にショットキー形成電極10を蒸着し、更にその上にp側電極9を蒸着する。その後、エッチングによってコンタクト層8の周辺を除去する。

Claim (excerpt)：

AlGaInP系の化合物半導体を用いたpn接合から成る発光部を有する半導体発光素子において、光取り出し側の電極の一部をショットキー接合となるように形成したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205