電界電子放出型サージ吸収素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：奥田弘之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999254167
Publication number (International publication number)：2001078355
Application date： Sep. 08, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】電子放出部としてカーボンナノチューブを採用することで、動作電圧を比較的低く設定することが可能な電界電子放出型サージ吸収素子の実現。【解決手段】第1の基板部材11と第2の基板部材12とを対向配置し、両基板部材11,12の対向面周縁を気密封止して外囲器14を形成し、該外囲器14内を高真空状態となすと共に、第1の基板部材11及び第2の基板部材12の対向面にそれぞれ電子放出部18,18を形成し、両電子放出部18,18が所定の間隙を隔てて対向するよう配置し、両基板部材18,18の外面に外部電極23,24を形成した電界電子放出型サージ吸収素子10において、上記電子放出部18,18を、半導体より成る多数のエミッタ・コーン及15び該エミッタ・コーン15の表面に形成された多数のカーボンナノチューブ17とで構成した。

Claim 1：

半導体よりなる第1の基板部材と第2の基板部材とを対向配置し、両基板部材の対向面周縁を気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を高真空状態となすと共に、上記第1の基板部材の対向面及び第2の基板部材の対向面の少なくとも一方に電子放出部を形成し、当該電子放出部と他方の基板部材の内面あるいは電子放出部との間に所定の間隙を形成し、さらに両基板部材の外面にそれぞれ外部電極を形成してなる電界電子放出型サージ吸収素子において、上記電子放出部を、半導体より成る多数のエミッタ・コーン及び該エミッタ・コーンの表面に形成された多数のカーボンナノチューブとで構成したことを特徴とする電界電子放出型サージ吸収素子。

IPC (5)：

H02H 9/04 , H01T 4/12 , H02H 7/20 , H02H 9/06 , H01J 1/304

FI (5)：

H02H 9/04 A , H01T 4/12 F , H02H 7/20 A , H02H 9/06 , H01J 1/30 F

F-Term (8)：

5G013AA02 , 5G013AA05 , 5G013CB02 , 5G013CB21 , 5G013DA05 , 5G053AA10 , 5G053CA05 , 5G053FA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

サージ吸収素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-132728 Applicant：岡谷電機産業株式会社
電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-249096 Applicant：株式会社東芝
カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-276426 Applicant：キヤノン株式会社

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Cited by examiner (5)

サージ吸収素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-132728 Applicant：岡谷電機産業株式会社
電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-249096 Applicant：株式会社東芝
カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-276426 Applicant：キヤノン株式会社

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