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J-GLOBAL ID：200903002026194847

バイポーラトランジスタのベース抵抗の導出方法

Inventor： 中台 貴子 ,  橋本 賢治
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991188715
Publication number (International publication number)：1993036704
Application date： Jul. 29, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、2端子回路の小信号解析によって得られるyパラメータを操作してバイポーラトランジスタのベース抵抗を導出する方法に関し、バイポーラトランジスタの電気特性を正確に把握し、ひいては素子の高速化および微細化に対するニーズに対応可能とすることを目的とする。【構成】 外部ベースBとコレクタCの間の容量Cμxならびにエミッタ領域直下のベース領域B0 とコレクタCの間の容量Cμの双方を考慮した等価回路を作成し、該等価回路の小信号解析によって得られたyパラメータに対し、その入力アドミタンスに逆伝達アドミタンスを加えて合成アドミタンスを作成し、該合成アドミタンスの逆数すなわちエミッタ・ベース間のインピーダンスを複素平面上にプロットしてベース抵抗を導出するように構成する。

Claim (excerpt)：

2端子回路の小信号解析によって得られるyパラメータを操作してバイポーラトランジスタのベース抵抗を導出する方法であって、外部ベース(B)とコレクタ(C)の間の容量(Cμx)ならびにエミッタ領域直下のベース領域(B0)とコレクタ(C)の間の容量(Cμ)の双方を考慮した等価回路を作成し、該等価回路の小信号解析によって得られたyパラメータに対し、その入力アドミタンスに逆伝達アドミタンスを加えて合成アドミタンスを作成し、該合成アドミタンスの逆数すなわちエミッタ・ベース間のインピーダンスを複素平面上にプロットしてベース抵抗を導出するようにしたことを特徴とするバイポーラトランジスタのベース抵抗の導出方法。

IPC (2)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73